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COMPANY PROFILE
嘉興科民電子設(shè)備技術(shù)有限公司
公司介紹
海外微電子設(shè)備制造團(tuán)隊與中科院微電子所8室專家共同成立
一家專業(yè)的原子層沉積設(shè)備制造商
4000余平方米的研發(fā)及生產(chǎn)基地
30多人的研發(fā)及制造團(tuán)隊。
生產(chǎn)場地
符合半導(dǎo)體行業(yè)6S管理規(guī)定的生產(chǎn)場地，標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)
嚴(yán)格的設(shè)備工藝驗證，保證每臺設(shè)備的質(zhì)量
發(fā)展與規(guī)劃
2019年
2018年
2017年
2016年
2013年
2012年
2010年
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我們的優(yōu)勢
廠區(qū)獨立的加工檢測能力
生產(chǎn)場地具有進(jìn)口晶圓測溫儀（用于晶圓表面實際溫度的測量和校準(zhǔn)）、進(jìn)口真空檢漏儀（用于保障整個沉積系統(tǒng)的真空漏率達(dá)標(biāo)）、swgaelok原裝進(jìn)口管路連接器（保障前驅(qū)體源輸送的可靠性）
產(chǎn)線驗證
從2015年至2019年，公司設(shè)備為大型半導(dǎo)體/MEMS生產(chǎn)企業(yè)通過產(chǎn)線驗證的ALD機型，穩(wěn)定工作3年以上
研發(fā)支持
中科院微電子所具有千級凈化級別700㎡、百級凈化級別50㎡，并能方便的進(jìn)行薄膜性能測試
ALD技術(shù)
1970s-第一階段
ALD的發(fā)明
Suntola提出ALD概念并逐漸完善
1980s-1990s-第二階段
ALD的孕育與積累
ALD開始應(yīng)用于TFT等領(lǐng)域獨特的自限制沉積模式優(yōu)勢初顯
2000s~至今-第三階段
ALD大規(guī)模應(yīng)用與爆發(fā)
ALD開始應(yīng)用于intel處理器的high-k層并開始大規(guī)模應(yīng)用
應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展
能源領(lǐng)域：太陽能電池背面鈍化、光伏活性層、防腐鍍膜、超親水/疏水涂層、防塵涂層、鋰離子電池材料增效
微電子和微機電領(lǐng)域：存儲器件活性層、OLED封裝、納米結(jié)構(gòu)器件、微部件的防腐蝕和抗磨損
光學(xué)應(yīng)用：反射涂層和増透涂層，透鏡保護(hù)、光柵器件、曲面鍍膜
其他：膜結(jié)構(gòu)和多孔結(jié)構(gòu)催化活性層、高效貴金屬活性層
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